Схемы патентных узоров спицами: с описанием, схемами и видео

Содержание

с описанием, схемами и видео

Практически любая рукодельница, даже начинающая вязальщица, знакома с техникой английской резинки. Этот способ вязания удобен и практичен. Но патентные узоры спицами не так популярны и востребованы, хотя обладают несомненными преимуществами. По технологии они слегка сложнее, но результат, несомненно, достоин вложенных усилий. Главным плюсом является то, что связанная вещь имеет одинаковый рисунок и структуру и с изнаночной, и с лицевой стороны готового полотна. Существует несколько разновидностей популярных узоров, они прекрасно подходят для вязания свитеров, теплых жакетов и просто трикотажного плотна для выкроек.

Разнообразие узоров

Сложное название не должно вводить вас в заблуждение. Сама технология работы довольна проста, даже новички справятся с ней. Изделие получится красивым, практичным и удобным. Кроме этого существует множество вариаций орнамента для патентной вязки. Процесс вязания патентного узора связан с постоянным повторением манипуляций.

Уже набившие руку мастера могут применять не один элемент в орнаменте, но три элемента – максимальное количество для изготовления изделия. Для удобства лучше воспользоваться видео-уроками, приведенными в конце статьи. Начинать работу следует с чередования снятой петли с накидочной и лицевой. Первая петля должна оказаться кромочной, каждый ряд завершается ей же. Руководствуясь схемой изделия, достаточно трудно запутаться.

Весь процесс заключается в перевертывании рабочего полотна с изнаночной на лицевую. Переворачиваем полотно и используем лицевую петельку, снятую с петли накидом. Далее вновь переворачиваем будущее изделие и провязываем кромочную петлю, снимаем и делаем накид.

Продолжаем работу над вторым и третьим рядами – раппортами, повторяющимися элементами узора. Процесс вязания необходимо повторять до получения необходимой длины изделия.

Технология вязания патентного узора с использованием нижележащего ряда также не сложна. Для каждого элемента используется лицевая вязка, начинать следует вновь с кромки. Но далее необходимо, переворачивая полотно, чередовать петли между соседним нижним рядом и находящимся непосредственно на спицах. И так до получения необходимого размера.

Главное — быть предельно внимательными, иначе малейшая путаница с петельками испортит все труды.

Необычная «Полукровка»

Раппорт состоит из петли с накидом и лицевой, начинается и заканчивается ряд кромочной петелькой.

  • полотно переворачивается, накидная петля вяжется по лицевой технологии. Затем изнаночная;
  • повторяем процесс, переворачивая полотно, чередуя первые две линии. Резинка готова!

Второй способ основан на использовании нижнего примыкающего ряда:

  • первый ряд вяжется путем чередования изнаночных и лицевых петелек;
  • второй ряд по технологии: петелька с ряда снизу изнаночная и лицевая.

После этих манипуляций уже виден раппорт. Мастер-класс с описанием поможет вам не ошибиться. Мастерице остается лишь чередовать рисунок, внимательно следя за соблюдением технологии очередности петлей.

Сетчатый узор на патентной резинке

Среди рукодельниц, уже опробовавших данную систему вязания, метод получил название «Пчелиные соты» из-за внешнего сходства.

Схемы аналогичны основной технологии вязания патентной резинки разных видов и цветов.

По раппорту видно, что первичное количество петелек должно быть в нечетном количестве.

В данном схематическом описании повтор провязки петель идет после первой кромчатой:

  • 1-ый изнаночный ряд: кромчатая петля – лицевая – снятие петли с накидом как на изнаночную сторону – лицевая – снятая – лицевая — кромчатая;
  • 2 лицевой ряд: кромчатая – лицевая – провязка лицевой нитью – накид – снять как изнаночную (нить за накидом) – лицевая – повтор необходимого количества раз манипуляций – кромчатая;
  • 3 изнаночный ряд – кромчатая – снятие с накидом как изнаночную – провязка вместе с лицевой – повтор действий – снятие с накидом – кромчатая;
  • 4 лицевой ряд: кромчатая – лицевая – снятие с накидом на изнаночную – лицевая – повтор – лицевая – накид снимается как изнаночный – кромчатая;
  • 5 изнаночный ряд: кромчатая – провязка петли и накида вместе с лицевой – снятие с накида как изнаночную – повтор действий – вновь петля и накид провязываются вместе с лицевой – кромчатая.
  • Далее технология состоит в повторении вязки со 2-ого по 5-ый ряды.

Пример снятия петли:

Как видно, технология вязки даже такого непривычного способа, как патентного, довольно проста. Необходимо набить руку и четко следовать технологии, отсчитывать количество петель, запоминать, с какой петельки начался ряд.

Стоит помнить, что при ошибке лучше распустить заготовку и начать с не получившегося места. Иначе связанная вещь рискует много лет провисеть в шкафу.

Видео по теме статьи

Самые лучшие посты

с описанием, схемами и видео в фото

Патентные узоры спицами: с описанием, схемами и видео в фотографиях.

Практически любая рукодельница, даже начинающая вязальщица, знакома с техникой английской резинки. Этот способ вязания удобен и практичен. Но патентные узоры спицами не так популярны и востребованы, хотя обладают несомненными преимуществами. По технологии они слегка сложнее, но результат, несомненно, достоин вложенных усилий. Главным плюсом является то, что связанная вещь имеет одинаковый рисунок и структуру и с изнаночной, и с лицевой стороны готового полотна. Существует несколько разновидностей популярных узоров, они прекрасно подходят для вязания свитеров, теплых жакетов и просто трикотажного плотна для выкроек.

Разнообразие узоров

Сложное название не должно вводить вас в заблуждение. Сама технология работы довольна проста, даже новички справятся с ней. Изделие получится красивым, практичным и удобным. Кроме этого существует множество вариаций орнамента для патентной вязки. Процесс вязания патентного узора связан с постоянным повторением манипуляций.

Уже набившие руку мастера могут применять не один элемент в орнаменте, но три элемента – максимальное количество для изготовления изделия. Для удобства лучше воспользоваться видео-уроками, приведенными в конце статьи. Начинать работу следует с чередования снятой петли с накидочной и лицевой. Первая петля должна оказаться кромочной, каждый ряд завершается ей же. Руководствуясь схемой изделия, достаточно трудно запутаться.

Весь процесс заключается в перевертывании рабочего полотна с изнаночной на лицевую. Переворачиваем полотно и используем лицевую петельку, снятую с петли накидом. Далее вновь переворачиваем будущее изделие и провязываем кромочную петлю, снимаем и делаем накид.

Продолжаем работу над вторым и третьим рядами – раппортами, повторяющимися элементами узора. Процесс вязания необходимо повторять до получения необходимой длины изделия.

Технология вязания патентного узора с использованием нижележащего ряда также не сложна. Для каждого элемента используется лицевая вязка, начинать следует вновь с кромки. Но далее необходимо, переворачивая полотно, чередовать петли между соседним нижним рядом и находящимся непосредственно на спицах. И так до получения необходимого размера.

Необычная «Полукровка»

Раппорт состоит из петли с накидом и лицевой, начинается и заканчивается ряд кромочной петелькой.

Второй способ основан на использовании нижнего примыкающего ряда:

После этих манипуляций уже виден раппорт. Мастер-класс с описанием поможет вам не ошибиться. Мастерице остается лишь чередовать рисунок, внимательно следя за соблюдением технологии очередности петлей.

Сетчатый узор на патентной резинке

Среди рукодельниц, уже опробовавших данную систему вязания, метод получил название «Пчелиные соты» из-за внешнего сходства.

Схемы аналогичны основной технологии вязания патентной резинки разных видов и цветов.

По раппорту видно, что первичное количество петелек должно быть в нечетном количестве.

В данном схематическом описании повтор провязки петель идет после первой кромчатой:

Пример снятия петли:

Как видно, технология вязки даже такого непривычного способа, как патентного, довольно проста. Необходимо набить руку и четко следовать технологии, отсчитывать количество петель, запоминать, с какой петельки начался ряд.

Видео по теме статьи

Обзор Патентные узоры спицами: с описанием, схемами и видео .

схемы для новичков в рукоделии – 1st-Finstep.ru

Тизерная сеть GlobalTeaser

В основе современных модных тенденций лежат  сложные миксы ажурных узоров. Ажурные узоры в них могут быть с простыми или затейливыми рисунками, иметь кружевные фантазийные формы или четкую направленность линий. Их эффектные элементы поражают своей красотой и разнообразием форм.

Совмещать все это великолепие в одном изделии помогают сетчатые узоры, являясь своеобразным переходом от одного узора к другому. Отлично смотрятся сетчатые узоры как ажурная  вставка и как основной узор.

Особенно актуальны сетчатые узоры с приходом весенних теплых дней, так как, подходят для летних топов и кофточек, а также объемных джемперов и шарфов.

Вариантов использования сетчатых узоров огромное количество, и каждый из них заслуживает отдельного внимания. К примеру эта романтическая туника, с сердечками, тоже связана сетчатым узором. В основе схемы лежит разветвление  диагональной сеточки, поверх которой, размещены сердца из лицевой глади. На схеме указаны только лицевые ряды. В изнаночных рядах, все петли и накиды, вязать изнаночными. Рапорт сетчатого узора с сердечками, отмечен на схеме — с 10-й по 33-ю петлю. Две вместе лицевой провязывать с наклоном вправо. Для этого спицу вводят во 2-ю и 1-ю петлю, начиная со второй.  Протяжки вяжутся с наклоном влево.

Сеточка спицами бывает простой и сложной, мелкой и крупной, вертикальной, горизонтальной и диагональной, односторонней и двухсторонней. Получаются сетчатые узоры, как и все ажурные узоры,  за счет добавления накидов и провязывания вместе 2-х или 3-х петель.

А вот какой именно, получится сеточка спицами, зависит от последовательности чередования этих накидов и лицевых или изнаночных петель.

Предлагаемая подборка сетчатых узоров спицами, думаю придется по вкусу многим мастерицам, так как, содержит в себе схемы основных сетчатых узоров, детальное их описание и рекомендации по применению.

К примеру, такая крупная сеточка подойдет как для пляжной туники так и для вязания более теплых вещей весеннего гардероба. Оригинально будет смотреться джемпер и шарф связанные узором «Крупная сетка спицами».

Схема узора, на мой взгляд, совсем не сложная. рапорт узора  3 петли, плюс 2 петли для симметрии, и 4 ряда в высоту. Этот сетчатый узор подходит для вязания тонкой и толстой пряжей. Похожий на этот сетчатый узор, но тоньше, узор — «Филейная сетка».

Филейную сетку спицами используют для вязания летней и детской одежды. Рапорт узора филейной сетки 4 петли, плюс 1 петля для симметрии. На схеме приведены только лицевые ряды. В изнаночных рядах все петли и накиды вязать изнаночными петлями.

Повторять узор с 1-го по 2-й ряды. Обратите внимание: для того что, бы получилась сетка, три петли вместе нужно провязывать таким образом, что бы центральная петля из трех  находилась сверху. Для этого петли переставляют в процессе работы.

  • Эта «Крестообразная» сеточка тоже связана спицами. Ее секрет — все петли изнаночные, подробнее смотрите схему:
  • пустые клеточки на схеме приведены для наглядности;
  • 1-й ряд: все петли изнаночные;
  • 2-й ряд:  *2 вместе изнаночной*, 1 изнаночная;
  • 3-й ряд: *1 изнаночная,  1 изнаночную вывязать из протяжки между петлями*, 1 изнаночная;
  • 4-й ряд: 1 изнаночная, *1 накид, 2 петли провязать вместе изнаночной*.
  • Отличным выбором для пляжной туники или ажурного легкого шарфа может стать узор «Диагональная сеточка спицами».

Число петель для узора «Диагональная сеточка» кратно 4 + 1 петля для симметрии + 2 кромочные петли. Каждый ряд начинать и заканчивать кромочной петлей. Повторять схему с 1-го по 8 -й ряды.

  • 1-й ряд:* 1 лицевая, 1 накид, 1 двойная протяжка, 1 накид*, 1 лицевая;
  • 2-й ряд и все четные ряды: все петли и накиды провязывать изнаночными петлями;
  • 3-й ряд:*2 лицевые, 1 накид, 1 протяжка*, 1 лицевая;
  • 5-й ряд: 2 петли провязать вместе лицевой, 1 накид, *1 лицевая, 1 накид, 1 двойная протяжка, 1 накид*, 1 лицевая, 1 накид, 1  простая протяжка;
  • 7-й ряд:*1 накид, 1 протяжка, 2 лицевые*, 1 лицевая.
  • Если вы любите строгие лини в узорах одежды, то вам по вкусу придутся ажурные сетчатые полосы. Сетчатые полосы можно вязать как вертикальные, так и горизонтальные.

    Вертикальные сетчатые полосы визуально делают фигуру стройнее, что бывает весьма кстати. Число петель для этого узора кратно четырем. Для симметричности узора, начинайте вязание с 2-х петель до рапорта, далее вяжите необходимое количество петель, и закончите ряд двумя петлями после рапорта. Повторяйте 1-й и 2-й ряды.

    К вертикальным сетчатым полосам можно отнести и следующие 2 узора. Оба узора  очень просты в исполнении. Использовать их лучше в качестве ажурных вставок в основной узор.

    • Схема узора вертикальная плетеная сетка состоит их 2-х повторяющихся рядов.
    • 1-й ряд: 1 лицевая,* 1 простая протяжка, 1 накид*, 1 лицевая;
    • 2-й ряд:1 изнаночаня,* 2 петли провязать вместе изнаночной скрещеной,1 накид*, 1 изнаночная

    Эта вертикальная плетеная сетка относится к двухсторонним ажурным узорам спицами, то есть выглядит одинаково с обеих сторон.   Узор рельефный- сетчатый.

    Схема вязания вертикальной плетеной сетки очень проста и ее легко запомнить. Число петель для узора четное.

    И в лицевых и в изнаночных рядах вяжите следующим образом: 1 накид, 2 петли провязать вместе лицевой и так до конца ряда. поверните работу и повторите вязание по схеме.

    Многим по вкусу придутся горизонтальные ажурные полосы. Это могут быть ажурные зигзаги или волны а также горизонтальные вставки любого сетчатого узора.

    Для сетчатого  узора «Горизонтальные ажурные полосы» набирают число петель кратное 2 + 2 кромочные петли. Повторяют узор с 1-го по 12-й ряды.

  • 1-й ряд: все петли изнаночные;
  • 2-й ряд и все четные ряды: вязать так, как смотрят петли, накиды вязать изнаночными.
  • 3-й ряд: все петли лицевые;
  • 5-й ряд: все петли изнаночные;
  • 7-й ряд: *2  вместе провязать лицевой, 1 накид*;
  • 9-й ряд: 1 лицевая, * 2 вместе лицевой, 1 накид*, 1 лицевая;
  • 11-й ряд: вязать как 7-й ряд.
  • «Треугольный» сетчатый узор спицами довольно универсальный в применении. Подойдет для детской, женской и в некоторых случаях, мужской одежды. Можно использовать как основной узор или в виде вставок — горизонтальных ажурных полос.

    Рапорт узора 4 петли. Для симметричности узора начните вязание с четырех петель до рапорта, после вяжите необходимое количество рапортов, и закончите ряд четырьмя петлями после рапорта.

    В изнаночных рядах петли вязать по рисунку, накиды изнаночными. Там где идет 2 накида подряд: 1-й накид вяжите изнаночной, а 2-й накид — лицевой.

    С 1-го по 10-й ряд провяжите сетчатый узор 1 раз, а после повторяйте схему с 3-го ряда.

    Сетчатый узор «Ромбы» хорош как основной узор для детской одежды или ажурного джемпера. Рапорт узора 6 петель плюс 2 петли для симметрии. Лицевые ряды вяжите по схеме, а в изнаночных рядах все петли и накиды вяжите изнаночными. повторяйте узор с 1-го по 8-й ряды. Хотите ромбы покрупнее — смотрите нашу подборку Ромбы спицами

    Этот узор немного морочный, как по мне, но результат того стоит. На схеме указаны только лицевые ряды, изнаночные ряды вязать изнаночными петлями. В высоту повторять с 1-го по 4-й ряды.

    Похожий на предыдущий — сетчатый ажурный узор «Болгарский крест». Узор образуется как и в первом случае при помощи перекинутых петель и накидов. Только в данном  узоре перебрасывают первую петлю из трех, влево.

    Для этого провязывают три лицевых петли, а после первую перебрасывают через 2-ю и 3-ю петли,  после делают накид, таким образом вяжут до конца ряда. В изнаночных рядах все петли и накиды вяжут изнаночными петлями.

    В следующем лицевом ряду узор смещают на 1 петлю, что бы ячейки сетки располагались в шахматном порядке. Схема сетчатого узора болгарский крест:

    1-й ряд:* 3 лицевые — первую петлю перебрасываем влево, на 2-ю и 3-ю петли, 1 накид*, 3 лицевые — 1-ю петлю перебрасываем влево;

    2-й и все четные ряды: изнаночные петли;

    3-й ряд: 1 лицевая, *3 лицевые — первую петлю перебрасываем влево, на 2-ю и 3-ю петли, 1 накид*, 1 лицевая. Повторять узор с первого по четвертый ряды.

    Сеточка может быть и не сплошной, как в узоре «водопады». Этот узор можно так же отнести к вариациям ажурной шахматки, так,как элементы сетчатого узора и резинки 2х3 расположены в шахматном порядке. Сетчатый узор «водопады» подходит для вязания детской и женской одежды, всевозможных маечек, топов, сарафанов. Отлично сочетается с другими сетчатыми и ажурными узорами.

    Рапорт схемы сетчатого узора «Гипюр» в высоту 4 ряда, то есть повторять с 1-го по 4-й ряды. Двойные накиды провязать 1 раз лицевой, 1  раз изнаночной. Легкая пляжная туника связанная таким сетчатым узором несомненно привлечет к вам внимание окружающих. Ровных вам петелек, и сногсшибательного ажура!

    Видео уроки и примеры схем по вязанию патентной резинки

    Из всех имеющихся в арсенале вязания спицами узоров, патентные узоры являются наиболее распространенными и востребованными. Они достаточно универсальны, и могут применяться для изготовления различных видов трикотажного полотна.

    В настоящем мастер-классе речь пойдет о том, как формируются такие патентные узоры, как резинка спицами. В уроке присутствует также схема резинки, и ее подробное описание.

    Если говорить точнее, то у патентной резинки существует не единственная схема, и несколько техник вязания, которые мы и рассмотрим в уроке.

    Эта резинка спицами принадлежит к виду патентных узоров, и поэтому нам лучше начать с изучения их схемы и техники выполнения. Главное отличие, которое имеют все патентные узоры, это большой объем и эластичность. Такие качества определяют потребность в повышенном количестве пряжи.

    Обратите внимание на стороны полотна, связанного таким рисунком. Дело в том, что они должны быть абсолютно одинаковыми, или такими, которые можно использовать в двусторонних вещах.

    Это качество позволяет вязать с их помощью двусторонние трикотажные изделия, как например шарфики и шапки с отворотами.

    Техника вязания патентной резинки

    Классическая патентная резинка называется еще английской, и является двухсторонней. Схема этого рисунка совершенно простая. Для нее необходимо набрать нечетное число единиц.

    Опытные рукодельницы знают о двух схемах и техниках изготовления этого рисунка на вязаном полотне. Первая схема предполагает наличие снятых петель (П). Для ее формирования в первом ряду (Р) образца изнаночная петля (ИП) снимается с накидом (Н), потом следует лицевая петля (ЛП).

    Во втором ряду та П, которую мы ранее вязали с Н, выполняется вместе, как ЛП. Далее изнаночную петлю снимаем с накидом.

    В третьей линии первую ИП снимаем с накидом, после чего следующие две единицы (петля и Н), вяжутся вместе, как ЛП. Далее необходимо повторять второй и третий Р. Вторая техника основывается на использовании П, которые подняты спицами из нижнего Р. Здесь также понадобится нечетное количество петель. Первая линия вяжется только ЛП.

    Второй Р состоит попеременно из ЛП, и тех единиц, которые поднимаются спицами из линии внизу (такой же П надо закончить). В третьем Р вяжем такие же П, но просто меняем их местами. После этого выполняйте полотно спицами, чередуя второй и третий Р.

    Видео урок вязания патентной резинки по нижнему ряду

    Чтобы поупражняться в вязании патентной резинки, предлагаем вам настоящий видео мастер- класс, который поможет освоить этот вид рукоделия. Для образца вязания нам потребуется выполнить набор П по предварительному расчету. Для раппорта потребуются две единицы, плюс 1 петля для симметрии, и две кромочные.

    Выполнив расчет, сделаем набор двадцати трех П. В первом ряду все П провязываются, как ЛП. В следующем втором Р после кромочной выполним первую ЛП из петли нижней линии. Как это правильно сделать, вам показывает данный урок. Вторая П раппорта вяжется уже из рабочего Р.

    Раппорт состоит только из двух петель, поэтому его необходимо повторять до конца. В третьем Р после кромочной П выполняется ЛП из рабочей линии, а потом единица из нижнего Р, так до конца линии. Далее продолжим вязать патентную резинку из П нижнего Р, повторяя вторую и третью линию.

    Техника вязания полупатентной резинки

    Очень похожими являются эти два типа резинок, патентная и полупатентная. Но вторая отличается от первой тем, что не является одинаковой с двух сторон. Ее лицевая сторона несколько иная.

    При этом одна из ее сторон визуально выглядит так же, как патентная резинка, а вторая напоминает жемчуг. Для ее формирования идет меньше пряжи и затрачивается меньше времени, поэтому она применяется рукодельницами охотнее.

    Полупатентная резинка может формироваться спицами с использованием двух таких же техник, то есть со снятыми П, или из П нижнего Р. При этом некоторые различия между ними имеются, иначе они были бы совершенно идентичны.

    На фото ниже вы видите изнаночную сторону полупатентной резинки.

    Сетчатый патентный узор

    Многие рукодельницы знают о том, что существует еще и сетчатый патентный узор спицами, который не имеет большой эластичности, но очень теплый и объемный.

    Визуально сетчатый рельеф просто великолепен, поэтому очень востребован у опытных и даже начинающих вязальщиц.

    Схема его также проста, как и у предыдущего рельефа, но при этом рисунок имеет вертикальный раппорт несколько больше, то есть пять Р.

    Внешний вид рисунка сеточкой определяется наличием в его схеме Н, которые располагаются на лицевой стороне схемы. Этот орнамент еще называется Сотами, или решеткой. Для его вязания спицами потребуется сделать набор нечетного числа П.

    В первом Р после кромочной вяжем 1 ЛП, потом снимаем П с накидом, как ИП. В конце Р должна быть ЛП, и кромочная. Очередной лицевой Р состоит из ЛП, после нее следует еще ЛП, снятый накид (нитка сзади), и ЛП.

    В третьем Р после кромочной снимаем единицу с Н, после чего вместе выполним петлю и Н, как ЛП. В конце должна быть П, снятая с накидом. Четвертый Р состоит из поочередно повторяющихся ЛП и снятых Н. В последнем пятом Р раппорта надо сначала связать вместе П и накид, как ЛП.

    Потом снять П с накидом, и повторять раппорт. Кончается пятая линия петлей, провязанной вместе с Н, как ЛП.

    Двухцветная патентная резинка

    Обратите внимание на следующий патентный узор, связанный спицами из пряжи разных оттенков. Это очень красивая цветная патентная резинка.

    Рисунок не одинаков с двух сторон, но считается двусторонним. Это происходит потому, что обе стороны очень хорошо смотрятся. Поэтому его также можно использовать для вязания шарфов и шапок.

    • Обратите внимание на схему рисунка.

    Здесь пустой квадрат обозначает ЛП, а частично закрашенный три П вместе, как ЛП. Одна дуга символизирует Н, а две дуги петлю с двумя Н. Две горизонтальные полоски означают снятую петлю.

    Схемы патентных узоров

    Модный кардиган сетчатым патентным узором «Соты» спицами – День вдохновения

    Сетчатый патентный узор очень широко используется в вязании. Он обладает высокой эластичностью и плотностью, хорошо «держит» тепло, поэтому узор отлично подходит для вязания пуловеров, шарфов, шапок, кардиганов и пальто.

    Также сетчатый патентный узор часто используют для вязания интерьерных вещей, таких как декоративные подушки, покрывала и пледы, и для вязания сумок. Весьма эффектно и модно выглядят кардиганы, связанные сетчатым узором спицами.

    Кардиган сетчатым патентным узором спицами

    Вяжется кардиган довольно просто. Можно связать однотонным, а можно с градиентом, как на фото ниже

    Описание Сетчатый патентный узор спицами или узор «Соты»:

    Видео мастер-класс: Узор «Соты» спицами:

    Выкройка кардигана

    Также кардиган сетчатым патентным узором спицами можно связать одним полотном

    Выкройка кардигана

    Описание работы:

    • Размеры: 36/38, 40/42, 44/46
    • Данные для размеров 40/42 — 44/46 приведены в скобках ()
    • Вам потребуется: пряжа (100% мериносовой шерсти; 150 м/50 г) — 500 (550-600) г цвета увядшей розы; мохеровая пряжа (77% мохера, 23% шелка; 175 м/50 г) — 300 (350-400) г розовой;
    • круговые спицы № 7 длиной 40 и 100 см; круговые спицы № 5 длиной 40 см; 4 розовые пуговицы диаметром 25 мм.
    • Лицевая гладь: лицевые ряды — лицевые петли, изнаночные ряды — изнаночные петли.

    Патентный узор для планок застежки: начало на правой полочке, 1-й р. (= лиц. ряд): * 1 п. снять, как при изнаночном вязании (нить протянуть перед работой), 1 лиц., от * повторить 3 раза.

    2-й р. (= изн. ряд): * 1 п. снять, как при изнаночном вязании (нить протянуть перед работой), 1 лиц., от * повторить 3 раза. Повторять 1-й и 2-й ряды.

    Конец ряда на левой полочке, 1-й р. (= лиц. ряд): * 1 лиц., 1 п. снять, как при изнаночном вязании (нить протянуть перед работой), от * повторить 3 раза.

    2-й р. (= изн. ряд): * 1 лиц., 1 п. снять, как при изнаночном вязании (нить протянуть перед работой), от * повторить 3 раза. Повторять 1-й и 2-й ряды.

    Сетчатый патентный узор: 1-й р. (= лиц. ряд): * 1 лиц., при этом спицу ввести в петлю нижележащего ряда. 1 лиц., повторять от *.

    2-й + 4-й р. (= изн. ряды): лицевые петли. 3-й р.: * 1 лиц., 1 лиц., при этом спицу ввести в петлю нижележащего ряда, повторять от *. Повторять с 1-го по 4-й р.

    Полупатентная резинка: 1-й р (= лиц. ряд): * 1 лиц., при этом спицу ввести в петлю нижележащего ряда, 1 изн., повторять от *. 2-й р. (= изн. ряд): лицевые петли. Повторять 1-й и 2-й ряды.

    Отверстие для пуговицы: в лиц. ряду 6 п. провязать по рисунку, повернуть, провязать 6 п., сделать 1 накид и ряд закончить.

    Выполнить следующий изн. ряд до накида, повернуть, ряд довязать до конца, повернуть, вязать до последних 8 п., 8-ю п. снять, как при изнаночном вязании (нить протянуть перед работой), следующую петлю и накид провязать вместе лицевой и ряд закончить.

    Со следующего ряда вновь вязать на всех петлях согласно узору.

    Плотность вязания: 11 п. х 28 р. = 10 х 10 см, связано сетчатым патентным узором спицами № 7; 8 п. планки = 3 см шириной.

    Внимание: от нижнего края до пройм изделие вяжется единым полотном в 3 нити = 1 нить шерстяной пряжи + 2 нити мохеровой, взятые вместе.

    Правая полочка, спинка, левая полочка: на длинные круговые спицы № 7 набрать в 3 нити 127 (137-147) п. и, начав с изн. ряда, вязать: 8 п. планки застежки (см. узор для планок — изн. ряд на левой полочке), 8 п. планки застежки (см. узор для планок — изн. ряд на правой полочке).

    Продолжить работу, распределив узоры в следующей последовательности: 8 п. планки застежки (см. узор для планок — лиц. ряд на правой полочке), 111 (121-131) п. сетчатого патентного узора, 8 п. планки застежки (см. узор для планок — лиц. ряд на левой полочке).

    На правой полочке через 17,5 (18.5-19,5) см от начального ряда выполнить первое отверстие для пуговицы, затем с интервалом 17,5 см — еще 3 отверстия.

    Через 60 см = 167 р. от начального ряда петли разделить следующим образом: по 35 (38-41) п. для полочек и средние 57 (61-65) п. для спинки.

    Петли полочек временно оставить. Сначала закончить спинку.

    Спинка: в 1-м ряду с обеих сторон прибавить по 1 кром. петле = 59 (63-67) п. и вязать сетчатым патентным узором.

    Через 20 (21-22) см = 56 (58-60) р. от начала раздельного вязания закрыть с обеих сторон для плечевых скосов по 7 п.

    Затем в каждом 2-м р. закрыть еще 2 раза по 7 п. (1 раз 7 п. и 1 раз 8 п. — 2 раза по 8 п.).

    Одновременно с 1-й плечевой убавкой закрыть для горловины средние 9 (11-13) п. и обе стороны закончить раздельно.

    Для закругления горловины закрыть с внутреннего края в каждом 2-м р. 2 раза по 2 п. Вторую сторону закончить в зеркальном отображении.

    Левая полочка: в 1-м ряду с правого края прибавить 1 кром. петлю = 36 (39-42) п. и вязать по рисунку.

    Через 15 (16-16) см = 42 (44-46) р. от начала раздельного вязания 8 п. планки застежки с певого края перевести на булавку и для горловины закрыть в каждом 2-м р. 2 раза (3 раза -4 раза) по 2 п., 2 раза по 1 п. и затем в 4-м р. еще 1 раз 1 п.

    Плечевой скос с левого края выполнить так же и на той же высоте, как на спинке.

    Правая полочка: вязать, как левую, но только в зеркальном отображении.

    Рукава: на короткие круговые спицы № 7 набрать в 3 нити 31 (33-35) п. и провязать 1 изн. ряд лицевыми. Продолжить работу сетчатым патентным узором.

    Через 10 см = 29 р. от начального ряда прибавить для скосов с обеих сторон по 1 п., затем в каждом 10-м р. еще 8 раз по 1 п. = 49 (51-53) п.

    Через 49 (50-51) см = 137 (141-143) р. от начального ряда петли временно оставить. Второй рукав вязать аналогично.

    Карманы (2 дет.): на спицы № 7 набрать в 3 нити 20 п. и провязать 1 изн. ряд лицевыми. Продолжить работу сетчатым патентным узором. На высоте 14 см = 40 р. от начального ряда петли закрыть в изн. ряду.

    Сборка: детали наколоть на выкройку, увлажнить и оставить до высыхания. Выполнить плечевые швы.

    Для воротника-стойки 8 п. правой планки застежки перевести на спицы, по краю горловины правой полочки набрать 17 (19-21) п., по краю горловины спинки — 19 (21-23) п.

    , по краю горловины левой полочки — 17 (19-21) п. и перевести на спицы 8 п. левой планки застежки = 69 (75-81) п. На 8 п.

    планок с обеих сторон продолжить вязание патентным узором, на средних 53 (59-65) п. вязать полупатентной резинкой.

    При высоте воротника 8 см в лиц. ряду закрыть 8 п. планки (для этого 1 лиц. и 1 изн. попарно провязывать вместе лицевыми, одновременно закрывая петли).

    В следующем изн. ряду 8 п. второй планки провязать аналогично, но изнаночными, одновременно закрывая петли.

    На оставшихся средних петлях = 53 (59-65) п. продолжить вязать попупатентной резинкой.

    Через 6 см 2 р. провязать резинкой = попеременно 1 лиц. и 1 изн. Затем на круговых спицах № 5 в 2 мохеровые нити вязать еще 2 см лицевой гладью и петли временно оставить.

    Воротник отвернуть внутрь и пришить к краю горловины швом «петля в петлю» и по коротким сторонам к планкам застежки.

    Согласно чертежу выкройки карманы пришить к полочкам. По краям пройм набрать по 49/50/53/ п. и провязать 1 изн. ряд лицевыми.

    Затем петли на спицах соединить с оставленными петлями рукавов швом «петля в петлю». Выполнить швы рукавов. Пришить пуговицы.

    Патентные узоры спицами: схемы вязания с описанием

    Не знаете, какой рисунок выбрать для вязания шарфа, снуда или джемпера? Обратите внимание на патентные узоры спицами. Их отличие от обычных рисунков заключается в рельефности, большом объеме и, конечно же, хорошей эластичности. В сегодняшней статье обсудим схемы вязания лучших патентных рисунков.

    Объемные рисунки можно использовать для вязания практически любых вещей. Следуйте четко схеме, и все непременно получится. Давайте рассмотрим наиболее популярные и оригинальные узоры.

    Рисунок №1

    Конечно же, почетное место среди остальных узоров занимает патентная резинка спицами. Схема вязания английской резинки проста, и с такой задачей справится любая вязальщица, даже начинающая.

    На заметку! Существует несколько техник вязания английской резинки. Учтите, что крупные изделия, к примеру, кардиган, вязать английской резинкой не рекомендуется. Из-за повышенной эластичности такого рисунка изделие может быстро деформироваться и утратить свою первозданную форму.

    Необходимые материалы:

    • пряжа;
    • спицы вязальные соответствующего размера.

    Пошаговое описание процесса:

  • Вязать английскую резинку будем по такой схеме.
  • Обратите внимание, что мы будем выполнять накид, но только не такой, как при вывязывании ажура. Захватывать рабочую нитку будем снизу в направлении справа налево.
  • Набираем на спицы классическим способом четное количество петель.
  • В первом ряду кромочную петлю снимаем без провязывания.
  • Далее начинается раппорт рисунка. Выполняем один накид. Следующую петельку переснимаем без провязывания.

    Следующие две петельки провязываем одновременно лицевой. При этом захватываем петли за передние стеночки.

  • Далее мы повторяем этот раппорт до конца рядка. Вторую кромочную провязываем изнаночной.
  • В следующем ряду будем все вывязывать аналогично, только вместе провязываем не две петельки лицевой, а одну петлю вместе с накидом.
  • Рисунок №2

    Предлагаем вам рассмотреть еще один вариант, как вяжется патентная резинка спицами. Схема вязания будет практически идентична английской резинке, только мы будем вывязывать выпуклую резинку 2х2.

    Необходимые материалы:

    • пряжа;
    • спицы вязальные соответствующего размера.

    Пошаговое описание процесса:

  • За основу берем следующую схему.

  • Набираем классическим способом на спицы четное количество петель.
  • В первом ряду после кромочной, которую мы снимаем без провязывания, выполняем накид. Следующую петельку снимаем без провязывания и делаем еще один накид.
  • Последующие две петли провязываем одновременно лицевой. И снова две петли провязываем одновременно лицевой.
  • В следующем ряду выполняем накид, потом петельку снимаем без провязывания и выполняем еще один накид.
  • Далее провязываем две петельки одновременно, точнее, одну петлю с накидом, который мы выполняли в предыдущем ряду.
  • Следующие две петельки провязываем аналогично, захватывая накид.
  • Рисунок №3

    Стильно и оригинально смотрится французская резинка. Вяжется она очень просто.

    Необходимые материалы:

    • пряжа;
    • спицы вязальные соответствующего размера.

    Пошаговое описание процесса:

  • В работе будем руководствоваться такой схемой.

  • Раппорт рисунка по горизонтали составляет восемь петелек, а по вертикали – 2 рядка.
  • Классическим способом набираем на спицы число петель, кратное восьми.
  • Первый рядок провязываем резинкой 2х2, то есть чередуем две лицевых и две изнаночных петельки.
  • Второй рядок вяжем по такой схеме: провязываем одну изнаночную петлю, далее — две лицевых и еще одну изнаночную. Повторяем этот раппорт до конца ряда.
  • С третьего рядка мы повторяем вязание аналогично первому ряду.
  • Рисунок №4

    Многим рукодельницам знакома резинка с интересным и необыкновенным названием «патронташ». Попробуйте ее связать.

    Необходимые материалы:

    • пряжа;
    • спицы вязальные соответствующего размера.

    Пошаговое описание процесса:

  • Вязать этот рисунок будем по такой схеме.

  • В первом ряду вывязываем раппорт следующим образом: три лицевых петельки, следующую петлю переснимаем без провязывания, при этом рабочую нитку держим перед изделием. Повторяем такой раппорт до конца рядка. Оставшиеся три петельки перед кромочной вывязываем лицевыми. Это будут петли равновесия.
  • В следующем ряду провязываем сначала петли равновесия: одну лицевую, следующую снимаем без провязывания и снова одну лицевую.
  • Далее начинается раппорт рисунка, который будем повторять до конца рядка: провязываем 2 лицевых петельки, следующую переснимаем без провязывания, при этом рабочую нитку держим перед изделием, вывязываем еще одну лицевую.
  • Со следующего рядка рисунок будет повторяться.
  • Совет! Чтобы определить плотность вязания и необходимое количество петель, всегда предварительно вяжите образец. Замерять резинку нужно, слегка растягивая ее. Как показывает практика, при вязании патентными узорами требуется набирать чуть меньше петель из-за эластичности рисунка.

    Рисунок №5

    Жемчужный узор знаком многим мастерицам. Не меньшим спросом пользуется патентная резинка с одноименным названием.

    Необходимые материалы:

    • пряжа;
    • спицы вязальные соответствующего размера.

    Пошаговое описание процесса:

  • При вязании жемчужной резинки будем руководствоваться простой и понятной схемой.

  • После первой кромочной петли, которую мы снимаем без провязывания, выполняем один накид, следующую петельку переснимаем без провязывания, располагая рабочую нитку перед полотном. Далее провязываем одну лицевую петлю. Этот раппорт следует повторять до конца рядка.
  • В следующем ряду провязываем одну изнаночную петлю, а следующую петельку провязываем лицевой одновременно с накидом.
  • Существует множество интересных патентных рисунков, которые вы можете использовать для вязания практически любой одежды. Очень стильно и красиво патентные рисунки смотрятся на шапках, свитерах, варежках и шарфах.

    Если вы вяжете шарфик или снуд, обратите внимание на двусторонние рисунки. Не забывайте, что при вязании объемного изделия, к примеру, пальто или кардигана, патентную резинку лучше не использовать.

    В противном случае край изделия через некоторое время станет растянутым и утратит свою эластичность. Творческих успехов!

    Множественное построение паттернов — Infogalactic: ядро ​​планетарного знания

    Множественное формирование паттернов (или множественное формирование паттернов ) — это класс технологий для производства интегральных схем (ИС), разработанный для фотолитографии с целью повышения плотности признаков. Простейшим случаем создания множественного рисунка является двойной рисунок , когда традиционный процесс литографии усовершенствован для получения вдвое большего количества элементов, чем ожидалось. Разрешение рисунка фоторезиста начинает размываться на половине шага около 45 нм. [1] Поэтому для полупроводниковой промышленности было введено двойное формирование рисунка для узла половинного шага 32 нм и ниже, в основном с использованием современных инструментов иммерсионной литографии на 193 нм.

    Существует несколько типов двойного рисунка. В сочетании их можно использовать для создания нескольких рисунков. [2]

    Двухцветный фоторезист с рисунком

    Самовыравнивание двойного рисунка на уровне фоторезиста представляет собой самый простой и наиболее экономичный подход, если он достижим на уровне 20 нм.Ключевое различие между двухцветным фоторезистом и двухцветным подходом к проявке заключается в том, что в двухцветном фоторезисте остается фоторезист, за исключением промежуточных уровней доз, в то время как в последнем фоторезист остается только на промежуточных уровнях доз.

    Двухцветный фоторезист

    Двухцветный фоторезист: Самая низкая и самая высокая дозы при однократном воздействии приводят к нерастворимости, в то время как промежуточные дозы позволяют удалить фоторезист проявителем.

    Двухцветные фоторезисты были разработаны много лет назад, что позволяет печатать две линии при одной экспозиции изображения одной линии. Ранние демонстрации основывались на сшивании областей с наибольшей дозой, что делало их нерастворимыми в проявителе, в то время как области с наименьшей дозой обычно уже были нерастворимы. [3] В качестве альтернативы, генератор фотобазы может генерировать кислотные тушители в высоких дозах; кислотное гашение противодействует способности фотокислоты делать фоторезист растворимым. [4] [5] Простота и рентабельность этого подхода делают его привлекательным методом расширения существующих фотолитографических возможностей. Главный недостаток — это примерно в 2 раза большая доза, необходимая для генерации фотобазы или сшивания. [6] Тем не менее, основными преимуществами двухцветного фоторезиста являются сохранение того же количества этапов процесса и возможность использования элементов шкалы серого [7] для вырезания линий фоторезиста (см. Нижний правый рисунок на маска для двухтонального).Двухцветный фоторезист имеет особую чувствительность к стоячей волне на изображении в негативных тонах. Кроме того, спонтанное образование фотоосновы и фотоосновы снижает химический контраст, а неограниченная диффузия фотоосновы и фотоосновы может усугубить шероховатость края линии (LER). Для решения этих проблем было предложено двухэтапное создание фотоосновы и связывание с полимером генераторов фотоосновы и фотоосновы. [8]

    Двухтональная проявка

    Двухтональная проявка. На двух этапах проявления удаляются области фоторезиста с максимальной и наименьшей экспозиционной дозой, оставляя края промежуточной дозы.

    Маска оттенков серого для двухцветного изображения. Черные области представляют собой непрозрачные области на фотошаблоне, белые области представляют собой прозрачные области, а серые области — области в градациях серого. Области оттенков серого — это, по сути, протяженные области с промежуточной дозой, более широкие, чем образуются на границе между черными и белыми областями.

    Двухцветная проявка похожа на описанную выше технику двухцветного фоторезиста в том, что она удваивает характеристики без дополнительной экспозиции.Вместо этого фоторезист проявляется дважды; первый раз — обычным проявителем, который удаляет области с более высокой дозой воздействия, второй раз — другим органическим растворителем, который удаляет области с более низкой дозой облучения. Это оставляет зоны с промежуточной дозой облучения (обычно определяющие края двух элементов). Пороги для положительного и отрицательного развития должны обеспечивать достаточную терпимость для удержания фоторезиста. Равным образом, один и тот же фоторезист должен быть способен достигать промежутков в 22 нм за счет проявления положительного или отрицательного тона.Конструкция фоторезиста для двухцветной проявки продемонстрировала более легкий прогресс, чем двухтональная экспозиция для деталей с длиной волны менее 30 нм, с использованием подавленной чрезмерной диффузии кислоты во 2-м обжиге после экспонирования (PEB) с полимером с более высокой Tg и пониженной растворимостью в обоих положительных тонах. и проявители отрицательного тона. [9] По-прежнему существует фундаментальная потребность в максимально возможном согласовании ширины проявленных положительных и отрицательных элементов, что затрудняется из-за более низких широт экспозиции при приближении к минимумам и максимумам интенсивности.

    Фоторезист двухслойный

    Компания SMIC недавно разработала [10] метод двойного рисунка, при котором фоторезист, проявленный в негативном тоне, наносится поверх фоторезиста, проявленного в позитивном тоне. Два фоторезиста реагируют на разные пороги дозы, и, кроме того, после отрицательного проявления верхнего фоторезиста нижний фоторезист протравливается с использованием верхнего фоторезиста в качестве маски травления. В дальнейшем происходит положительное проявление нижнего фоторезиста. В результате получается структура с двойным рисунком, аналогичная методу формирования спейсера, но не требующая осаждения прокладки.Это также метод однократной экспозиции, который позволяет дополнительно снизить затраты. По сути, это двухцветная проявка, описанная выше, выполняемая на двух слоях фоторезиста.

    Самовыравнивающаяся втулка

    Разделительная маска: первый шаблон; осаждение; формирование спейсера травлением; удаление первого рисунка; травление с помощью дистанционной маски; окончательный образец

    При формировании рисунка прокладки прокладка — это слой пленки, сформированный на боковой стенке элемента с предварительно нанесенным рисунком. Прокладка формируется путем осаждения или реакции пленки на предыдущий рисунок с последующим травлением для удаления всего пленочного материала с горизонтальных поверхностей, оставляя только материал на боковых стенках.При удалении исходного элемента с рисунком остается только распорка. Однако, поскольку на каждую строку приходится по две прокладки, плотность линий увеличилась вдвое. Обычно это обозначается как S elf- A ligned D oubled P atterning (SADP). Метод спейсера применим, например, для определения узких ворот на половине исходного литографического шага.

    Подход с использованием спейсера уникален тем, что за одну литографическую экспозицию шаг может быть уменьшен вдвое на неопределенное время с последовательностью процессов формирования спейсера и переноса рисунка.Например, две итерации SADP приводят к четвертованию шага или учетверению элементов в пределах исходного шага. Следовательно, это часто называют самовыравниванием Q uadruple Patterning (SAQP). Это удобно позволяет избежать серьезной проблемы наложения между последовательными экспозициями. Техника спейсерной литографии чаще всего применялась при формировании рисунка плавников для FinFET.

    Поскольку разделительные материалы обычно являются твердыми маскирующими материалами, их качество рисунка после травления обычно выше, чем у профилей фоторезиста после травления, которые обычно страдают шероховатостью кромок линий. [11]

    Основные проблемы, связанные с подходом к прокладке, заключаются в том, могут ли прокладки оставаться на месте после удаления материала, к которому они прикреплены, приемлем ли профиль прокладки и не повреждается ли нижележащий материал травлением, удаляющим материал, прикрепленный к распорка. Перенос рисунка осложняется тем, что при удалении материала, прилегающего к распоркам, также удаляется небольшая часть нижележащего материала. Это приводит к более высокому рельефу на одной стороне распорки, чем на другой. [12]

    Расположение проставки также зависит от рисунка, к которому она прикреплена. Если узор слишком широкий или слишком узкий, это повлияет на положение проставки. Однако это не будет проблемой для процессов изготовления критически важных функций памяти, которые являются самовыравнивающимися.

    Двойная / мультиэкспозиция

    Двойная экспозиция: покрытие фоторезистом; первое обнажение; вторая экспозиция; развитие

    Разложение макета двудипольной литографии. Красные горизонтальные и синие вертикальные линии лучше печатать на отдельных масках при использовании дипольного освещения.

    Двойная экспозиция — это последовательность двух отдельных экспозиций одного и того же слоя фоторезиста с использованием двух разных фотошаблонов. [13] Этот метод обычно используется для узоров в одном слое, которые выглядят по-разному или имеют несовместимые плотности или шаги. В одном важном случае каждая из двух экспозиций может состоять из линий, ориентированных в одном из двух обычно перпендикулярных направлений.Каждая ориентация использует соответствующее дипольное освещение. Это позволяет разложить двумерные узоры на два одномерных узора, которые легче распечатать. Это основа технологии двойной дипольной литографии (DDL) от Brion Technologies, дочерней компании ASML. [14] Сумма экспозиций не может улучшить минимальный предел разрешения, если реакция фоторезиста не является простым сложением двух экспозиций. Технология двойной экспозиции обеспечивает возможность изготовления элементов с минимальным шагом в макете, который может содержать множество элементов.Узел 65 нм стал свидетелем внедрения в производство масок с чередованием фазового сдвига. [15] Эта технология обычно представляет собой подход с двойной экспозицией. До тех пор, пока двойная экспозиция может использоваться эффективно и сохраняется в пределах допусков совмещения, это предпочтительный подход к формированию рисунка, поскольку он не требует дополнительных последующих этапов процесса.

    Электронно-лучевая литография с прямой записью по своей сути является методом множественной экспозиции, так как луч формируется и проецируется на резист в нескольких местах.

    Двойная экспозиция, двойное травление (столовая)

    Двойная экспозиция, двойное травление (линии): Покрытие фоторезистом поверх первого рисунка; элементы фоторезиста между предыдущими элементами; травление; снятие маски

    Это лучше всего описать на примере процесса. Первое экспонирование фоторезиста переносится на нижележащий слой твердой маски. После удаления фоторезиста после переноса рисунка жесткой маски на образец наносится второй слой фоторезиста, и этот слой подвергается второй экспозиции, визуализируя элементы между элементами, сформированными в слое жесткой маски.Рисунок поверхности состоит из элементов фоторезиста, граничащих между элементами маски, которые могут быть перенесены на последний слой под ним. Это позволяет удвоить плотность элементов. Межвузовский центр микроэлектроники (IMEC, Бельгия) недавно использовал этот подход для построения модели уровня затвора для своей демонстрации половинного шага 32 нм. [16]

    Проблема с использованием этого подхода — несоответствие и задержка между вторым рисунком фоторезиста и первым рисунком жесткой маски, что приводит к дополнительному источнику отклонений.

    Вариантом этого подхода, исключающим первое травление твердой маски, является замораживание резиста , [4], которое позволяет наносить второй резист поверх первого проявленного слоя резиста. JSR продемонстрировал 32 нм линии и промежутки с использованием этого метода [5], где замораживание достигается за счет поверхностного упрочнения первого слоя резиста.

    Двойная экспозиция, двойное травление (траншеи)

    Двойная экспозиция, двойное травление (канавки): Покрытие фоторезистом поверх первого рисунка; травление рядом с предыдущими элементами; снятие маски

    Подход «грубой силы» для создания рисунка канавок включает в себя последовательность (как минимум) двух отдельных экспозиций и вытравливания независимых рисунков в один и тот же слой.Для каждой экспозиции требуется свое покрытие из фоторезиста. Когда последовательность завершена, узор представляет собой композицию из ранее вытравленных подшаблонов. Путем перемежения подшаблонов теоретически можно неограниченно увеличивать плотность рисунка, при этом полутона обратно пропорционально количеству используемых подшаблонов. Например, шаблон половинного шага 25 нм может быть сгенерирован путем чередования двух шаблонов половинного шага 50 нм, трех шаблонов половинного шага 75 нм или четырех шаблонов половинного шага 100 нм.Уменьшение размера элемента, скорее всего, потребует помощи таких методов, как химическая усадка, термическое оплавление или вспомогательные пленки. Затем этот составной узор можно перенести на последний слой.

    Возможным применением может быть, например, разделение контактного слоя на две отдельные группы: контакты затвора и контакты истока / стока, каждая из которых определяет свою собственную маску. IMEC недавно использовала подобный подход для демонстрации 6-транзисторной ячейки SRAM с узлом 45 нм с использованием сухой литографии [6].

    Как и в случае подхода с двойной экспозицией и двойным травлением, любое несоответствие между различными чередующимися паттернами может стать источником вариации от объекта к объекту.

    Направленная самосборка (DSA)

    Направленная самосборка с помощью графоэпитаксии: предопределенный рисунок поверхности; нанесение блок-сополимера; удаление одного сополимерного компонента

    Направленная самосборка с помощью хемоэпитаксии: предопределенный рисунок поверхности; нанесение блок-сополимера; удаление одного сополимерного компонента

    По состоянию на 2010 год сообщалось о большом прогрессе в использовании блок-сополимеров ПММА-ПС для определения структур размером менее 20 нм посредством самосборки, руководствуясь топографией поверхности (графоэпитаксия) и / или химическим формированием структуры поверхности (хемоэпитаксия). [17] Ключевым преимуществом является относительно простая обработка по сравнению с многократной экспозицией или многократным нанесением и травлением. Основным недостатком этого метода является относительно ограниченный диапазон размеров элементов и рабочих циклов для данной формулы процесса. Тем не менее, сроки для узла менее 20 нм ~ 2013 в настоящее время намечены. [18] Типичными приложениями были регулярные линии и промежутки, а также массивы плотно расположенных отверстий или цилиндров. [19] Однако случайные апериодические шаблоны также могут быть сгенерированы с использованием тщательно определенных направляющих шаблонов. [20]

    Шероховатость кромок линий в узорах блок-сополимеров сильно зависит от межфазного натяжения между двумя фазами, которое, в свою очередь, зависит от параметра Флори «ци» (χ). [21] Более высокое значение χ является предпочтительным для уменьшения шероховатости; межфазная ширина между доменами равна 2a (6χ) −1/2 , где a — статистическая длина полимерной цепи. [22] Кроме того, для достаточной сегрегации фаз требуется χ N >> 10, где N — степень полимеризации (количество повторов мономера в цепи).С другой стороны, полутон равен 2 (3 / π 2 ) 1/3 aN 2/3 χ 1/6 . Колебания ширины рисунка на самом деле только слабо (квадратный корень) зависят от логарифма полутона, поэтому они становятся более значительными по сравнению с меньшими полутонами.

    Помимо двойного рисунка

    Учетверенное копирование элемента со вторым рисунком прокладки: 1-е осаждение прокладки; 1-е протравливание проставки; Травление 1-го и 2-го опорных материалов; 2-я прокладка; 2-е протравливание спейсера; 2-й опорный материал травление

    Обдумывается экстраполяция двойного паттерна на множественный паттерн, но проблема контроля над затратами все еще находится в умах многих [ who? ] .Несмотря на то, что преимущества создания множественного рисунка с точки зрения разрешения, глубины резкости и чувствительности к литографическим дефектам понятны, есть дополнительная нагрузка, связанная с контролем увеличения бюджета процесса и поддержанием хорошего выхода продукции.

    Помимо двойного (2Х) формирования рисунка, наиболее часто публикуемая методология множественного рисунка — это метод повторного спейсера, который можно практиковать во многих формах. [23] [24] [25] [26] [27] Метод многослойного топографического прокладки также предлагает некоторую гибкость. [28] Также возможно аддитивно комбинировать два или более из вышеуказанных подходов. Например, двухцветный фоторезист с кислотным профилем, уменьшенным вдвое, плюс двухцветное проявление, которое растворяет самые высокие и самые низкие концентрации кислоты, в сочетании с процессом спейсера, приведет к 8-кратному увеличению шагового разрешения, например, половинному шагу 40 нм. уменьшен до полутона 5 нм. Последующее повторение процесса прокладки даст 16-кратное улучшение разрешения шага, например, полушаг 40 нм уменьшится до 2.Полутоновой шаг 5 нм. Европейский проект LENS (Lithography Enhancement Towards Nano Scale) [29] нацелен на реализацию как двойной экспозиции (сопротивление замораживанию), так и процесса на основе спейсера, в принципе позволяя два способа формирования рисунка для правил проектирования ~ 20 нм с текущей литографией инструменты, уже адаптированные для двойного рисунка [30] или ~ 10 нм правила проектирования в сочетании. [31] После успешной разработки двухцветного фоторезиста можно вообразить правила проектирования 2,5 нм.

    Intel использовала несколько этапов осаждения / травления / очистки разделителей, чтобы продемонстрировать разделители, разнесенные на ~ 26 нм. [32] Он представляет собой уменьшение исходного шага рисунка в ~ 1/4 раза и указывает на то, что длина волны и оптика больше не определяют литографическое разрешение в чистом виде.

    IMEC указал, что в случае, если литография EUV не будет готова, будет использоваться четырехкратное формирование рисунка (с более жесткими характеристиками наложения). [33]

    На саммите по флэш-памяти в 2010 г. было спроектировано, что иммерсионная литография с множественным рисунком будет использоваться для масштабирования флэш-памяти NAND до менее 20 нм в течение нескольких лет. [34]

    Особенности 2D-компоновки

    Спейсер-диэлектрик (SID), самовыравнивающийся двойной узор (SADP). Рисунок оправки (синий) определяет металлические элементы, поддерживающие местоположения диэлектрической прокладки (не показана) и, косвенно, местоположения других металлов (красный). Следовательно, исключаются множественные порезы. Этот метод можно повторить для самовыравнивающегося четырехкратного паттерна (SAQP).

    Для 2D-рисунков увеличение плотности очень зависит от характера рисунка.Например, контактные матрицы имеют оптимальную плотность упаковки в виде прямоугольных массивов для двойного рисунка и в виде гексагональных плотно упакованных массивов для тройного рисунка, что обеспечивает увеличение площади почти в 2 и 3 раза соответственно. Обычные компоновки массивов, такие как используемые для DRAM, могут использовать перекрестное самовыравнивание шаблонов разделителей. [35] Для 2D-макетов ошибки соответствия двойному шаблону возникают, когда есть нечетные циклы минимальных промежутков. Эту проблему можно решить, расслабив одно из этих пространств на расстоянии, на котором обе функции могут быть сформированы на одном этапе визуализации.Тройное формирование рисунка совместимо с нечетными циклами, но, в свою очередь, несовместимо для двух обращенных друг к другу пар концов линий, где расстояние от угла до угла меньше расстояния одиночного рисунка. Это, в свою очередь, соответствует четырехкратному шаблону. Таким образом, улучшение плотности с использованием нескольких схем формирования рисунка сильно зависит от рисунка. Часто простой редизайн или уменьшение размеров в одном направлении позволяет избежать затрат на переход к более сложным и дорогостоящим процессам создания нескольких узоров. [36]

    Тройной узор LELELE. Для минимального шага металла ~ 25-37 нм тройное нанесение рисунка подходит для одномерных рисунков. Каждый цвет представляет отдельную экспозицию.

    При половинном шаге менее 40 нм продолжающееся использование иммерсионной литографии на 193 нм влечет за собой увеличение числа экспозиций, даже для обычных массивов. Только чисто одномерные линейные узоры не потребуют увеличения количества экспозиций. Однако количество экспозиций для регулярных двумерных макетов можно минимизировать.Фактически, до тех пор, пока количество экспозиций не увеличивается вдвое при переходе к следующему узлу, поскольку плотность удваивается, дополнительные экспозиции не влекут за собой непомерно высоких затрат.

    Прокладка-диэлектрик (SID)

    В оригинальной технике, основанной на прокладках, прокладки определяли проводящие элементы, которые необходимо было обрезать, чтобы избежать образования петель. В подходе разделитель-диэлектрик (SID) разделители определяют диэлектрические промежутки между проводящими элементами и поэтому больше не требуют разрезов.Вместо этого определение оправки становится более стратегическим в компоновке, и больше не существует предпочтения для одномерных линейных элементов. Подход SID приобрел популярность благодаря своей гибкости с минимальными дополнительными воздействиями маски. [37] Описанный выше подход с двойным рисунком против спейсера естественным образом соответствует подходу SID, так как дополнительный слой наносится после спейсера перед его удалением.

    Создание массива 2D-массива с помощью SID SADP. Здесь проставки на боковой стенке синих элементов в качестве оправок определяют дополнительные красные элементы.

    Тройной узор

    Synopsys приступила к рассмотрению разложения слоев тройным узором, которые труднее разделить на два образца, например, контактных слоев. [38] Хотя количество этапов обработки увеличилось только на 50% (по сравнению со 100% для вставки двойного рисунка), тройное формирование рисунка позволило бы создавать рисунки узлов 16 нм на инструменте литографии узлов 45 нм. Точно так же четырехкратное формирование рисунка позволит создавать узлы размером 11 нм на одном и том же инструменте для литографии узлов с размером 45 нм, с лишь 33% дополнительных шагов по сравнению с тройным шаблоном.

    Модуляция бокового профиля

    S idewall P rofile I nclination M odulation M ask (SPIMM) Метод [39] [40] был предложен в 2013 году в качестве средства для сокращения количества экспозиций для Определяемое спейсером или, возможно, определяемое DSA формирование двойного паттерна или множественного паттерна даже для произвольных паттернов без массивов. Градиент дозы, например, из суженного пространства, примыкающего к боковой стенке элемента, передается для образования определенного профиля боковой стенки, который позволяет локально прерывать нанесенный узор спейсера.Развиваемый процесс BARC [41] [42] является подходящей возможностью для этого подхода из-за его пониженного контраста экспозиции.

    Реализации

    Благодаря довольно простому применению, без необходимости изменения инфраструктуры, множественное формирование паттернов не встретит каких-либо непреодолимых технических или коммерческих барьеров. Несмотря на проблемы со стоимостью и пропускной способностью, в последнее время он привлек больше внимания и интереса, в основном из-за задержек с технологиями литографии следующего поколения, такими как EUVL и литография наноимпринтов. [ необходима ссылка ]

    Самовыравнивание посредством двойного дамасского рисунка.

    При формировании множественного рисунка также могут использоваться процессы с большим смещением (например, обрезка фоторезиста для уменьшения ширины линии или оплавление фоторезиста для уменьшения ширины канавки) для существенного устранения дефектов с размером примерно в 2 раза больше проектного шага или меньше. Это существенное преимущество перед увеличением разрешения литографического инструмента, которое подвергает пластину большему количеству дефектов в соответствии с правилами проектирования или даже меньшего размера.

    Самовыравнивающийся контакт / с нанесением рисунка

    Самовыравнивающийся контакт и формирование переходного паттерна — это признанный метод создания паттерна для множественных контактов или переходных отверстий из одного литографического элемента. Он использует пересечение увеличенной маски сопротивления элемента и нижележащих канавок, которые окружены слоем жесткой маски с предварительно нанесенным рисунком. Этот метод используется в ячейках DRAM [43] , а также в расширенной логике узла.

    Разделение сливных отверстий термоусадочной изоляцией

    Разделение объединенных отверстий термоусадкой. Два объединенных контакта или переходных отверстия после литографии могут быть разделены после травления.

    Усадка отверстий для узла толщиной менее 10 нм с SAQP. В логическом узле с размером менее 10 нм общее количество экспозиций маски слоя может быть уменьшено за счет использования усадки травлением отверстий для разрешения шага 6 нм.

    Tokyo Electron Ltd (TEL) смогла устранить два объединенных контактных отверстия с помощью термоусадки травлением. [44] Полушаг контакта 31-32 нм был достигнут этим методом. [45]

    2D SID Распорка с рисунком

    Создание массива 2D-массива по SID. Слева: исходный образец оправки. В центре: нанесение прокладки (оранжевый) и наполнителя (зеленый). Справа: удаление прокладочного материала и округление заполняющего материала до удвоенной плотности элемента. Последовательность может быть повторена, чтобы удвоить плотность.

    Использование SID может применяться к двумерным массивам путем итеративного добавления элементов, равноудаленных от ранее представленных функций, удваивая плотность с каждой итерацией. [46]

    Укладка стружки нескольких матриц

    Укладка нескольких штампов, e.g., DRAM в 3D-IC, [47] требует последовательного формирования рисунка на каждом кристалле, а также нескольких экземпляров сквозного кремния через формирование рисунка.

    EUV и электронно-лучевая литография

    На семинаре EUVL 2013 был сделан вывод, что даже EUV потребует двойного паттерна и DSA для непрерывного масштабирования ниже 10 нм, расширяясь до множественного паттерна для использования 450 мм.

    Как упоминалось ранее, электронно-лучевая литография по своей сути является методом множественной экспозиции.Однако даже электронно-лучевая литография и EUV в конечном итоге потребуют по крайней мере двух чередующихся экспозиций (из-за вторичного рассеяния электронов), например, при изготовлении зонных рентгеновских пластинок с половинным шагом 15 нм. [49] Фактически, двойного рисунка может быть недостаточно даже для полушага менее 12 нм, даже при электронно-лучевой литографии. [50] [51] В этом случае потребуется множественное формирование рисунка.

    Tela Innovations

    Tela Innovations, стартап, основанный в 2005 году и недавно получивший значительную поддержку и финансирование, специализируется на преобразовании произвольных макетов в элементы, подобные массивам, подходящие для создания двойного рисунка. [52] Tela Innovations достигает этого за счет использования макетов с сеткой.

    Intel

    Intel использует двойное формирование рисунка в 45 нм, а также в 65 нм технологии. [53] [54] Двойной узор используется для скругления концов затворов транзистора. Первый образец маски состоит из линий затворов, соединенных в конце. Вторая маска представляет собой линейный резак, который разделяет их на отдельные ворота с помощью второго покрытия из фоторезиста. [55] Необходимы дополнительные шаги для создания двойного рисунка 45 нм по сравнению с 65 нм из-за использования сухой литографии вместо иммерсионной.

    В сентябре 2009 года Intel сообщила, что для своего 15-нм техпроцесса EUV, похоже, не был готов вовремя. [56] Таким образом, Intel готовится расширить иммерсионную литографию на 193 нм с двойной и, возможно, тройной структурой до 15 нм. [57]

    Для своего логического узла 11 нм (половинный шаг 20-22 нм) Intel ожидает, что сможет использовать пятикратную экспозицию [58] с литографией 193 нм, где одна из экспозиций используется с разделительным рисунком для дальнейшего шага деление.Остальные четыре экспозиции предназначены для вырезания линий, разделенных по высоте. Даже при литографии следующего поколения, такой как EUVL или электронно-лучевая литография без маски с прямой записью, для резки все еще требуется вторая экспозиция. Что касается технологии узла 32 нм, ожидается, что плотность будет увеличена примерно в 8 раз (три поколения удвоения плотности), но стоимость будет меньше, чем в 6 раз (5 экспозиций с одним раундом формирования спейсерного рисунка).

    В 2014 году Intel показала, что использует тройную структуру для некоторых слоев в своем 14-нм узле. [59]

    Техасские инструменты

    На форуме Sematech Litho Forum 2010 компания TI рекомендовала, чтобы для слоев шага с разводкой 60 нм, соответствующих узлу 22/20 нм, двойное формирование рисунка «было единственным экономически осуществимым решением». Создание двойного и тройного рисунка считалось рентабельным для штампов с шагом фрезерования около 40 нм. [60] Для узла 14 нм потребуется тройное формирование рисунка для слоев затвора, контакта и металла 1. Утверждалось, что тройная структура с шагом 44 нм обеспечивает снижение стоимости на 25%.

    Производители флэш-памяти NAND

    В 2010 году IM Flash начала производство 20,5-нм флеш-памяти NAND Flash, сочетающей в себе иммерсионную литографию 193 нм и двойной узор. [61]

    Подобно подходу множественного паттерна, описанному для 11-нм процесса Intel, на практике при паттернировании массива флэш-памяти NAND с использованием спейсерного подхода будет использоваться 3 или более экспозиций маски. [62] Первая маска формирует структуру ядра массива, определяя разделители, а вторая маска используется для обрезки или обрезки разделителей для формирования отдельных линий.Наконец, дополнительные маски или множественное формирование рисунка могут быть использованы для рисунка периферийных соединений, например контактных площадок. [63] Всего требуется три, четыре и пять масок для самовыравнивающегося двойного паттерна (SADP), самовыравнивающегося четверного паттерна (SAQP) и самовыравнивающегося восьмеричного паттерна (SAOP) соответственно. [64] В результате формирование массива во флэш-памяти обычно можно рассматривать как множественное формирование рисунка, а не только технику двойного рисунка на основе спейсера.

    На IEDM 2011 Hynix сообщил о процессе 15 нм NAND, в котором, помимо прочего, используется четырехкратный спейсерный паттерн. [65] Флэш-память NAND размером менее 20 нм изготовлена ​​с использованием самовыравнивающегося четырехкратного рисунка. [66] Компания Micron уже производит 16 нм флеш-память NAND с использованием этой технологии [67] с 2013 года. [68]

    Промышленное внедрение

    Samsung 14 нм

    [69] В пресс-релизе Samsung также объявила, что разработка 14-нм FinFET опиралась на сотрудничество с партнером Mentor, чтобы «справиться со сложностями литографии с множественным узором».» [70]

    Несколько масок для стрижки

    Стоимость многократной экспозиции маски всегда была серьезной проблемой для промышленности. По мере добавления все большего количества масок снижение стоимости от одного технологического узла к следующему начнет сокращаться. С другой стороны, подходы с низким k1 уже могут включать использование двойной экспозиции для нерегулярных 2D-паттернов, [71] [72] , но промышленность, похоже, обошла эту проблему потери снижения затрат.

    Множественное формирование рисунка с помощью существующей иммерсионной литографии 193 нм всегда использовалось в качестве резервного метода литографии на случай, если EUV не был готов, при условии, что затраты не являются чрезмерно высокими.Даже при наличии EUV, вполне вероятно, что он будет применяться вместе с погружением на 193 нм для критического слоя. Например, до 4 экспозиций среза при иммерсионной литографии 193 нм могут быть заменены одной или двумя экспозициями EUV.

    Ключевым моментом при реализации множественного паттерна с использованием множественных масок является производительность инструмента. Также важно количество инструментов, доступных для экспонирования набора масок с множественным узором. Текущая пропускная способность иммерсионного сканера 193 нм составляет 250 WPH. [73] [74] EUV позволил получить около 42 WPH или 1000 пластин в день, [75] , в то время как погружение на 193 нм, включая множественное формирование рисунка, показало более 3000 пластин в день. [76] Таким образом, расширение множественного паттерна все еще является планируемой опцией для будущих узлов.

    Недавнее исследование затрат, проведенное IMEC [77] , показало, что SAQP / LE3 (самовыравнивающееся четырехкратное формирование рисунка с 3-мя разрезами / сквозными экспозициями) с пропускной способностью погружного инструмента 193 нм 150 WPH будет стоить столько же, сколько 55 WPH EUV одиночного рисунка. для узла 7 нм.Текущая пропускная способность погружения и EUV, составляющая 250 WPH и 42 WPH, соответственно, поэтому делает множественное формирование паттернов в настоящее время вероятным подходом, который будет использоваться на глубине до 7 нм и даже за пределами EUV.

    Помимо количества масок, необходимых для каждого слоя, необходимо учитывать общее количество масок, используемых для всех слоев или, по крайней мере, для критических слоев. ASML прогнозирует, что количество этапов литографии будет продолжать расти даже с введением EUV. [78] Количество масок может быть уменьшено с использованием DSA из-за предоставления всех разрезов с координатной сеткой сразу в пределах области печати, которые затем можно выбрать при окончательной экспозиции. [79] [80] В качестве альтернативы, сам вырезанный шаблон может быть сгенерирован как этап DSA. [81]

    В 2015 году IMEC обнаружил, что масштабирование 7-нм SRAM можно продолжить, добавив только две маски (вместо изначально запланированных пяти) с иммерсионной литографией 193 нм с SADP (то есть всего тремя масками) для локального слоя межсоединений и с сопоставимой площадью клеток с единым паттерном EUV (~ 50% от узла 10 нм). [82] Текущие инструменты EUV в полевых условиях имеют числовую апертуру (NA) 0.33 и разрешение половинного шага 19 нм, [83] , что недостаточно для узла 7 нм (полушага 16 нм). [84] Однако использование в общей сложности трех масок иммерсионной литографии с длиной волны 193 нм может быть перенесено со слоев 10-нм узлового логического металла на 7-нм слои узлового логического металла. [85]

    Дополнительные риски

    Вырезки также могут быть уменьшены методом дополнительных воздействий. [86] С помощью этого метода несколько экспозиций, ожидаемых для самовыравнивающегося четырехкратного рисунка, могут быть сокращены до двух или трех.

    Пространство-диэлектрик с множественным рисунком

    Спейсер-диэлектрик (SID) — это стиль SADP, который обеспечивает дополнительную гибкость проектирования вплоть до узлов размером менее 10 нм. [87] [88] Гибкость достигается за счет того, что распорка не определяет металлические элементы, поскольку обычно они представляют собой петли, которые необходимо разрезать. За счет того, что прокладка определяет расположение диэлектриков, можно свести к минимуму воздействие на отдельные линии и даже, возможно, устранить их с помощью подхода SPIMM, описанного выше.Дополнительное разрешение достигается за счет перехода к подходу SAQP за счет определения самих оправок для металлического моделирования в SADP. [89] Металлический узор с двойным узором может превратиться в схему с четырехкратным узором без дополнительных масок из-за того, что последняя промежуточная петля является диэлектрической. Таким образом, экономическая эффективность множественного рисунка даже для гибких 2D-схем повышается за счет использования (до) двух масок для SAQP вплоть до полутона ~ 11-12 нм. EUV до сих пор не показал гибкости 2D для половинного шага 16 нм (узел 7 нм) [90] [91] и, следовательно, в этом случае потребует того же количества экспозиций маски, что и погружение на 193 нм.SAQP можно расширить до SAOP, применив дополнительную прокладку. [92] Преимущество SID в расширении множественного рисунка можно обобщить, отметив, что макет металлического рисунка с 2N-образным рисунком может превратиться в макет с 4N-образным рисунком без дополнительных масок из-за того, что последняя разделительная петля является диэлектрической.

    Intel 10 нм

    В 2013 году Intel сообщила, что будет использовать квантование шага, то есть SAQP, для своего узла 10 нм (половинный шаг 15-22 нм) вместо EUV. [93] Однако внедрение 10 нм Intel, по всей видимости, отложено с 2015 по 2017 год. [94]

    Создание тройного паттерна на 10 нм

    Тройной паттерн уже установлен для узлов 14 нм и 10 нм. [95] Любое самоустанавливающееся множественное формирование рисунка с последующими двумя обрезающими или режущими экспозициями (SAQP-LELE) для узлов 7 нм и 5 нм эффективно расширяет тройное формирование рисунка на эти узлы. Меньшее количество сокращений, например, с помощью SID, обеспечило бы еще более экономичную масштабируемость. С другой стороны, самовыравнивающееся множественное формирование рисунка будет определяться как четырехкратное формирование рисунка из-за того, что деление шага вдвое обязательно уступает место разделению шага на четверть.

    Логический узел 7 нм и выше: от двойного до учетверенного рисунка

    1D шаблон SAQP с использованием SID. Синие элементы — это оправки с прямым рисунком. Красные элементы заполняются после создания первого рисунка прокладки. Зеленые элементы заполняются после создания второго образца распорки с использованием обрезанных красных и синих элементов в качестве оправок.

    Ожидается четырехкратное формирование рисунка для узла 7 нм. В самом раннем смысле это подразумевало четыре отдельных воздействия. Однако в настоящее время предпочтение отдается самовыравнивающемуся четырехкратному паттерну.Такой подход может повлечь за собой два раунда осаждения и травления спейсера с последующим удалением опор спейсера (оправок). С другой стороны, контактный слой с минимальным шагом ~ 22 нм (соответствующий логическому узлу 5 нм) может быть структурирован тройным рисунком с 1D-схемой и использованием упомянутой выше техники усадки травлением отверстий. [96]

    Зрелость самовыравнивающегося двойного рисунка, включая подход «спейсер-диэлектрик», может сделать переход к самовыравнивающемуся четырехкратному рисунку более плавным, поскольку оправки, определенные стандартом SADP (включая любую необходимую обрезную маску (и)), могут быть наносится на SAQP без дополнительной резки, если разделительная втулка имеет рисунок для диэлектрических свойств.

    EUV, требующий двойного рисунка

    В ноябре 2014 года ASML обнаружил, что узел 7 нм, первый узел для использования в EUV, по-прежнему будет требовать двойного паттерна даже в большей степени, чем иммерсионная литография на узле 20 нм. [97] нм

    Список литературы

    1. ↑ T. Honda et al. , J. Microlith., Microfab., Microsyst., Vol. 5, 043004 (2006).
    2. ↑ C. Fonseca et al. , Proc. SPIE vol. 7274, 72740I (2009).
    3. ↑ У.S. Патент 6114082.
    4. ↑ С. Сонг et al. , Полимеры для Adv. Tech. 9, 326-333 (1998).
    5. ↑ X. Gu et al. , J. Photopoly. Sci. & Тех. 22, 773-781 (2009).
    6. ↑ G. L. Hallett-Tapley et al. , J. Mater. Chem C., 1, 2657 (2013).
    7. ↑ Патент США 8283111, переуступленный Tokyo Electron Limited.
    8. ↑ X. Gu et al. , Proc. SPIE vol. 7972, 79720F (2011).
    9. ↑ M. Shirakawa et al. , Proc.SPIE vol. 9425, 942509 (2015).
    10. ↑ Патент США 57, переуступленный SMIC
    11. ↑ X. Hua et al., J. Vac. Sci. Tech. В, т. 24. С. 1850–1858 (2006).
    12. ↑ Y-K Choi et al., J. Phys. Chem. В, т. 107, стр. 3340-3343 (2003).
    13. ↑ См., Например, патент США 5308741.
    14. ↑ Brion внедряет технологию DDL ASML
    15. ↑ A. Tritchkov, S. Jeong, C. Kenyon, «Обеспечение литографии для формирования структуры слоя затвора узла 65 нм с помощью чередующегося PSM», Proc.SPIE vol. 5754, стр 215-225 (2005).
    16. ↑ IMEC двойной узор
    17. ↑ S.H. Park et al. , Мягкая материя, 6, 120–125 (2010).
    18. ↑ Производители микросхем обдумывают планы по установке DSA на 14 нм
    19. ↑ К. Г. Харди, К. Танг, J. Polymer Sci. Pt. B: Polymer Phys., Т. 51, стр. 2-15 (2013).
    20. ↑ Л-З. Chang et al. IEDM 2010 Technical Digest, 752-755 (2010).
    21. ↑ Отчет NIST 2011 по LER в PS-b-PMMA DSA
    22. ↑ А. Н. Семенов, Макромолекулы 26, 6617 (1993).
    23. ↑ А. Карлсон и Т. Дж. К. Лю, Proc. SPIE 6924, 69240B (2008).
    24. ↑ B. Degroote et al. , Microelec. Eng., 84, 609-618 (2007).
    25. ↑ Y-K. Choi et al. , Proc. SPIE 5220, 10 (2003).
    26. ↑ США 6759180
    27. ↑ США 5328810
    28. ↑ США 7919413
    29. ↑ P. Cantu et al. , Proc. SPIE 7640, 764022 (2010).
    30. ↑ T. Castenmiller et al. , Proc. SPIE 7640, 76401N (2010).
    31. ↑ EETimes: 25-нм IMFT MLC NAND: преодолены барьеры масштабирования технологий, 22.03.2010
    32. ↑ SEMICON West — Проблемы литографии и решения
    33. ↑ EETimes «EUV litho продолжает развиваться, продолжает скользить», 9.06.2010.
    34. ↑ G. Tressler (IBM), 2010 Flash Memory Summit [ dead link ]
    35. ↑ Патент США

      30, переуступленный Nanya Technology.

    36. ↑ B-S Seo et al., «Двойной паттерн для решения проблем визуализации для ближних и суб k1 = 0,25 узловых схем», Proc. SPIE, Том 7379, 73791N (2009).
    37. ↑ Y. Du et al. , «Подробная разводка диэлектрической прокладки для самовыравнивающейся литографии с двойным узором», DAC 2013.
    38. ↑ C. Cork et al., Proc. SPIE, т. 7028, 702839 (2008).
    39. ↑ F. T. Chen et al. , Proc. SPIE vol. 8683, 868311 (2013).
    40. ↑ F. T. Chen et al. , J. Micro / Nanolith. MEMS MOEMS 13 (1), 011008 (январь – март 2014 г.).
    41. ↑ J. Lowes et al. , Proc. SPIE 7639, 76390K (2010).
    42. ↑ T. Katayama et al. , Proc. SPIE 5377, 968–973 (2004).
    43. ↑ Патент США 6165880, переуступленный TSMC.
    44. ↑ K. Oyama et al. , Proc.SPIE 9051,
    45. V (2014).

    46. ↑ M. C. Smayling et al. , Proc. SPIE 9426, 94261U (2015).
    47. ↑ Мебарки Б. и др. , патент США 8,084,310, переуступленный Applied Materials.
    48. ↑ Elpida объединяет в стек четыре DDR3 DRAM
    49. ↑ http://www.euvlitho.com/2013/2013%20EUVL%20Workshop%20Summary.pdf Резюме семинара EUVL за 2013 год
    50. ↑ Э. Андерсон и В. Чао, Двойная экспозиция создает дифракционную оптику высокого разрешения, SPIE Newsroom, 2007.
    51. ↑ W.Chao et al. , JVST B 27, 2606-2611 (2009).
    52. ↑ W. Chao et al. , Proc. SPIE vol. 6883, 688309 (2008).
    53. ↑ М. Д. Левенсон, «SPIE: Tela Innovations все объясняет прямо», Microlithography World, 28 февраля 2008 г.
    54. ↑ Д. Фоглер, Solid State Technology, мероприятие, посвященное запуску продукта Intel, дает больше информации о производственной стратегии компании
    55. ↑ Intel Technology Journal 17 июня 2008 г.
    56. ↑ Процесс Intel 45 нм на IEDM
    57. ↑ Semiconductor International 14.09.2009 Intel наращивает производство 32 нм в Орегоне
    58. ↑ EETimes 22.09.2009 Отеллини: Intel поставит больше SOC, чем процессоров для ПК — когда-нибудь
    59. ↑ Intel расширяет литографию ArF до 11 нм
    60. ↑ Intel открывает дверь на 7 нм, Foundry
    61. ↑ Акцент смещается на доступность.
    62. ↑ Объявление 25 нм NAND
    63. ↑ C. Bencher, Nanochip Technology Journal, 2007.
    64. ↑ Патент США 7808053.
    65. ↑ J. Yu. et al. , Proc. SPIE 9052,
    66. P (2014).
    67. ↑ IEDM 2011 Press Tip Sheet
    68. ↑ Четверной рисунок проставки боковины для половинного шага 15 нм.
    69. ↑ [1]
    70. ↑ [2]
    71. ↑ Дополнительная литография при вставке и за ее пределами
    72. ↑ http://www.digitimes.com/news/a20121224PR200.html Samsung поставляет 14-нм логический процесс FinFET и инфраструктуру проектирования
    73. ↑ http: // www.chipworks.com/en/technical-competitive-analysis/resources/blog/more-hkmg-hits-the-market-gate-first-and-gate-last/ Охват Chipworks процесса TSMC 28 нм HKMG
    74. ↑ http://www.tsmc.com/tsmcdotcom/PRListingNewsAction#do?action=detail&&newsid=2423&&newsdate=2007/12/11 Объявление TSMC 32 нм SRAM
    75. ↑ ASML TWINSCAN NXT: 1970Ci
    76. ↑ Nikon NSR-S630D
    77. ↑ TSMC выпускает 1022 пластины в день с EUV
    78. ↑ [3]
    79. ↑ А. Маллик et al., Proc. SPIE 9048, R (2014).
    80. ↑ М. ван ден Бринк, День инвестора ASML, 24 ноября 2014 г.
    81. ↑ Сводная презентация на Semicon West 2013
    82. ↑ M. C. Smayling et al. , Proc. SPIE 8683, 868305 (2013).
    83. ↑ Z. Xiao et al. , Proc. SPIE 8880, 888017-3 (2013).
    84. ↑ С. С. Сахаре et al. , SPIE Advanced Lithography 2015, Paper 9427-24 Abstract.
    85. ↑ J. van School et al. , Proc. SPIE vol.9422, 94221F (2015).
    86. ↑ L. Liebmann, A. Chu, and P. Gutwin, Proc. SPIE vol. 9427, 942702 (2015).
    87. ↑ W. Gillijns et al. , Proc. SPIE vol. 9427, 942709 (2015).
    88. ↑ F. T. Chen et al. , Proc. SPIE vol. 8326, 83262L (2012).
    89. ↑ Y. Ban, D. Z. Pan, J. Micro / Nanolith. MEMS MOEMS 14, 011004 (2015).
    90. ↑ C. Kodama et al. , IEEE Trans. CAD Integ. Circ. and Syst., vol. 34, 753 (2015).
    91. ↑ Y. Chen, Q.Cheng, W. Kang, Proc. SPIE 8328, 83280O (2012).
    92. ↑ Э. ван Сеттен et al. , Proc. SPIE vol. 9231, 923108 (2014).
    93. ↑ A. Pirati et al. , Proc. SPIE vol. 9422, 94221П (2015).
    94. ↑ J. Yu. et al. , Proc. SPIE vol. 9052,
    95. П (2014).
    96. ↑ Intel продвигает EUV за пределы 10 нм
    97. ↑ Intel откладывает 10 нм до 2017 года
    98. ↑ Продвижение множественных паттернов в суб-10 нм: готовы ли мы?, DAC 2015
    99. ↑ R. Nakayama et al., Proc. SPIE vol. 9658, 96580А (2015).
    100. ↑ ASML — Многие способы уменьшить (ноябрь 2014 г.)

    Патентная сумка с лучшим соотношением цены и качества — Отличные предложения на патентную сумку с узором от глобальных продавцов патентных сумок с узором

    Отличные новости !!! Вы попали в нужное место для покупки патентной сумки с выкройками. К настоящему времени вы уже знаете, что что бы вы ни искали, вы обязательно найдете это на AliExpress.У нас буквально тысячи отличных продуктов во всех товарных категориях. Ищете ли вы товары высокого класса или дешевые и недорогие оптовые закупки, мы гарантируем, что он есть на AliExpress.

    Вы найдете официальные магазины торговых марок наряду с небольшими независимыми продавцами со скидками, каждый из которых предлагает быструю доставку и надежные, а также удобные и безопасные способы оплаты независимо от того, сколько вы решите потратить.

    AliExpress никогда не уступит по выбору, качеству и цене. Каждый день вы будете находить новые онлайн-предложения, скидки в магазинах и возможность сэкономить еще больше, собирая купоны. Но вам, возможно, придется действовать быстро, поскольку эта патентная сумка с лучшим рисунком в кратчайшие сроки станет одним из самых востребованных бестселлеров. Подумайте, как вам будут завидовать друзья, когда вы скажете им, что приобрели патентную сумку с выкройками на AliExpress.Благодаря самым низким ценам в Интернете, дешевым тарифам на доставку и возможности получения на месте вы можете еще больше сэкономить.

    Если вы все еще не уверены в патентной сумке с рисунком и думаете о выборе аналогичного товара, AliExpress — отличное место для сравнения цен и продавцов. Мы поможем вам решить, стоит ли доплачивать за высококлассную версию или вы получаете столь же выгодную сделку, приобретая более дешевую вещь.И, если вы просто хотите побаловать себя и потратиться на самую дорогую версию, AliExpress всегда позаботится о том, чтобы вы могли получить лучшую цену за свои деньги, даже сообщая вам, когда вам будет лучше дождаться начала рекламной акции. и ожидаемая экономия.AliExpress гордится тем, что у вас всегда есть осознанный выбор при покупке в одном из сотен магазинов и продавцов на нашей платформе. Реальные покупатели оценивают качество обслуживания, цену и качество каждого магазина и продавца.Кроме того, вы можете узнать рейтинги магазина или отдельных продавцов, а также сравнить цены, доставку и скидки на один и тот же продукт, прочитав комментарии и отзывы, оставленные пользователями. Каждая покупка имеет звездный рейтинг и часто имеет комментарии, оставленные предыдущими клиентами, описывающими их опыт транзакций, поэтому вы можете покупать с уверенностью каждый раз. Короче говоря, вам не нужно верить нам на слово — просто слушайте миллионы наших довольных клиентов.

    А если вы новичок на AliExpress, мы откроем вам секрет.Непосредственно перед тем, как вы нажмете «купить сейчас» в процессе транзакции, найдите время, чтобы проверить купоны — и вы сэкономите еще больше. Вы можете найти купоны магазина, купоны AliExpress или собирать купоны каждый день, играя в игры в приложении AliExpress. Вместе с бесплатной доставкой, которую предлагают большинство продавцов на нашем сайте, мы думаем, вы согласитесь, что вы получите этот патентованный мешок pattern по самой выгодной цене.

    У нас всегда есть новейшие технологии, новейшие тенденции и самые обсуждаемые лейблы.На AliExpress отличное качество, цена и сервис всегда в стандартной комплектации. Начните лучший опыт покупок прямо здесь.

    Можно ли абстрактно защитить графические рисунки и узоры патентами на образцы? — Блог о патентных товарных знаках

    Что такое изделие?

    Патенты на промышленные образцы распространяются только на те образцы, которые могут быть применены к промышленным изделиям [см. MPEP 1503].«Изделие производства» по существу означает физический конечный продукт или его компонент, который является результатом производственного процесса. Не существует такой вещи, как патент на образец дизайна или патент на образец, который просто покрывает абстрактное изображение без учета материального продукта.

    Примеры того, что , а не , составляло бы изделие, включают натуральные изделия (например, фрукты), процессы или методы, машины и составы веществ. Такие категории не будут иметь права на охрану патента на образец.

    Можно ли отделить запатентованный дизайн от изделия производства или отделить от него?

    Нет, патенты на дизайн не защищают рисунки, изображения, графический дизайн, узоры или любые другие двухмерные визуальные изображения в абстрактном виде. Запатентованный дизайн должен быть привязан к изделию. Фактически, руководство по патентной экспертизе, известное как MPEP, требует, чтобы каждая заявка на патент на образец указывала изделие в заголовке и формуле изобретения. Например, патентный эксперт будет возражать против заявки на патент на образец, просто озаглавленной «LEOPARD PATTERN» или «CHEETAH PRINT», поскольку такое название не указывает на конкретную статью.Более подходящим названием было бы такое изделие, как «СТУЛ С ЛЕОПАРДОВЫМ УЗОРОМ». Но можно ли применить патент на дизайн стула к продуктам, которые не являются стульями?

    Может ли патент на образец для одного изделия быть применен в отношении другого типа продукта?

    Вы можете видеть, к чему это идет. Владельцы ИС, стремящиеся к широкому охвату определенного рисунка или графического дизайна в аннотации, не смогут достичь этой цели с помощью одного патента на образец.Недавно владелец патента на образец рисунка для стула безуспешно пытался помешать конкуренту использовать якобы похожий рисунок на корзине. Патенты на дизайн не защищают дизайн, не связанный с продуктом.

    Другой вывод из этого дела заключается в том, что вы не можете обеспечить соблюдение патента на образец для стула против корзины , независимо от того, насколько близко может быть образец, предположительно нарушающий права. Это две разные статьи, и патент на дизайн в судебном процессе распространяется только на стулья.Обратите внимание, что проблема не в сходстве дизайна обвиняемого и запатентованного дизайна.

    Как получить широкую патентную защиту на образцы для выкроек и произведений искусства

    Мы только что сказали, что образцы не могут быть запатентованы отдельно от изделий производства. Если конкретный образец всегда должен быть привязан к материальному изделию или компоненту, почему бы не подать несколько заявок на патент на образец с одним и тем же дизайном, который применяется к различным изделиям производства? Такая стратегия может помочь установить эксклюзивность на рынке, не позволяя другим копировать определенный узор или произведение искусства на различные товары.Проблема может заключаться в составлении бюджета для этих усилий и решении, какие статьи будут наиболее популярными для конкретного дизайна.

    Подача заявок на патенты на промышленные образцы и авторские права

    Одна комплексная стратегия в области ИС может заключаться в одновременной подаче заявок на патенты на промышленные образцы и авторских прав. Хотя защита авторских прав может быть предоставлена ​​двумерным визуальным произведениям искусства, имейте в виду, что регистрация авторских прав имеет собственный набор требований, которые отличаются от требований патентов на образцы.

    Следующие две вкладки изменяют содержимое ниже.

    Мы присоединяемся к Давидам, сражающимся с Голиафами. Наши зарегистрированные патентные поверенные работают как команда, чтобы предоставить стартапам и предпринимателям надежные права интеллектуальной собственности, которые способствуют финансированию, росту и продажам. Напишите нам или позвоните, чтобы мы могли работать над вашим IP: (949) 223-9623 | [email protected]

    Схема реакционной способности — Большая Химическая Энциклопедия

    Многие исследователи применяли аналогичные подходы для разработки или применения линейных зависимостей свободной энергии, когда заместитель непосредственно присоединен к двойной связи, с некоторым успехом.Два наиболее примечательных примера можно найти в «Схемах паттернов реактивности» (раздел 7.3.4) и в работах Гизе с коллегами16. 19 … [Стр.21]

    Базовая схема Хамметта часто не предлагает совершенной корреляция и ряд вариантов этой схемы были предложены для лучшего объяснения реакционной способности в радикальных реакциях. -0 Однако ни один из них не получил широкого признания. Следует также отметить, что линейные зависимости свободной энергии являются основой схем Q-e и Patterns of Reactivity для понимания реакционной способности размножающихся видов при передаче цепи и сополимеризации.[Стр.31]

    Перенос цепи кинетически эквивалентен сополимеризации. Схемы Q-e и Patterns of Reactivity, используемые для прогнозирования соотношений реактивностей при сополимеризации (раздел 7.3.4), также могут использоваться для прогнозирования реактивностей (констант передачи цепи) при передаче цепи, и применяются те же ограничения. Таблицы соответствующих параметров можно найти в Polymer Handbook 3 … [Pg.287]

    Самыми популярными методами являются Q-e (раздел 7.3.4.1) и схемы реактивности (раздел 7.3.4.2). Оба метода также могут использоваться для прогнозирования констант передачи (раздел 6.2.1). Дальнейшее обсуждение применения этого и других методов для прогнозирования констант скорости радикальных реакций см. В разделе 2.3.7. [Стр.363]

    Узоры. схемы реакционной способности 365 Схема 6 Qc 363-5 радикально-радикальный термин в ирм … [Pg.603]

    PAM sec полиакриламид PAM см. полиакрилонитрил-палладиевые комплексы, как катализаторы для ATRP 492 Схема реакционной способности 11,26, 31 для прогнозирования отношений реактивности 365-6 для прогнозирования констант переноса 287 ПБ см. полибутадиен ПЭ см. полиэтилен… [Pg.623]

    В таблице 6-8 показаны значения различных параметров, необходимых для расчета отношений реакционной способности мономеров по формулам. 6-60 и 6-62 [Jenkins and Jenkins, 1999]. Мономеры в таблице 6-8 расположены в порядке их значений u. Схема Patterns of Reactivity, как и Q e. Схема, представляет собой эмпирическую схему. Коэффициенты реакционной способности мономеров, рассчитанные по схемам реакционной способности, обычно ближе к экспериментальным значениям, чем те, которые рассчитываются по схеме Q e, что подтверждает обоснование присвоения различных значений полярности мономеру и радикалу, полученному из мономера.[Стр.503]

    Шаблоны схемы реактивности также были расширены до констант передачи цепи. [Pg.505]

    Рассчитайте отношения реакционной способности мономеров для хлоропрен-2-винилпиридина, используя данные из Таблицы 6-8 для схем реакционной способности. [Pg.543]

    Примечание 2 Схема схем реактивности известна также как схема Дженкинса. [Pg.202]

    Связь между отношениями реакционной способности мономеров и параметрами Q-e Элфри-Прайса объясняется во введении к таблицам отношений реакционной способности мономеров и значений Q-e, составленных Робертом З.Гринли и опубликованы в настоящем томе (1,2). Хотя схема Q-e очень широко используется, хорошо известно, что она имеет серьезные ограничения (3), которые побудили несколько попыток улучшить ее. Qne такие усилия были Закономерности схемы реактивности, впервые была описана еще в 1959 году (4-7), когда схема Qe было только около десяти лет, несмотря на неоспоримо более satisfaetory основе этой процедуры, она не достигла популярности, но недавний исправления значительно улучшили его доступность и точность (3,8,9).

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *